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SECCO Etchant

(TKSECH04)
T

FEATURES
Silicon표면을 산화시키면서 표면을 Etching하는 Etchant로서 Defect부위는 Normal부위에 비해 etch rate가 빠르기 때문에 Microscope를 통해서 defect 종류를 쉽게 관찰 할 수 있다.

FORMULA
HF + K₂Cr₂O7 + H₂O

APPLICATION
(100)에 가장 적합.
Highly boron doped wafer에는 적합하 지 않음
Material ; (100) , (111) ,crystal orientation for p,n- type over a wide range of resistivities.
Cleavage ; (110)
모든 표면 Isotropic etch orientation에 넓게 적합
Surface 와 Bulk Defects관측에 적합.
(Defect: crystal dislocations, stacking faults, swirls, striations and slip lines,BMD , OiSF , COP.superior delineation of crystal defects.)
good crystallographic characteristics
clearly defined oxidation-induced stacking faults, dislocations, swirls and striations with minimum surface roughness or extraneous pitting.
failure analysis of electrical devices at various wafer processing stages.

DESCRIPTION(Compatibility)

Model	SECCO / TKSECH04
Appearance	Deep purple Liquid
Etchant Type	Immersion(Dip)
Operating Temperature	20 - 60 ℃
Ventilation	Hood Recommended
Agitation	Agitation speed로 Etch rate 가속
Etch Rate @ 40℃	0.8 micro/ min
Composition	Hydrofluoric Acid complex
pH range	1 이하
Shelf Life	1 year
Resist Compatibility	Negative & Positive
Rinse	Distilled, Deionized Water
Storage Temp.	직사광선 피하고 Room Temperature, Sealing, ventilated 공간에서 Open
Capacity	3.8 liters, Gallon
Packing Tank	Polyethylene/Polypropylene

COMMENT
wafer 수입검사 FPD(flow pattern defect) ,wafer surface평가용 chemical입니다.

DISPOSAL OF SPENT ETCHANT
사용된 etchant(TKSECH04)는 승인된 시약 특성별 분리된 폐수 수집용기에 폐기. 사용된 etchant(TKSECH04)는 탄산칼슘(calcium carbonate)으로 중화시킨 후 물로 희석.
승인된 시약 특성별 분리된 폐수 수집용기에 폐기 . 하수구 무단 배출은 추천 않음. 배출은 유해화학물질 폐기에 관한 관련 법률에 따라 폐기.

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