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WRIGHT Etchant

(TKWRCH04)
T

FEATURES
Silicon표면을 산화시키면서 표면을 Etching하는 Etchant로서 Defect부위는 Normal부위에 비해 etch rate가 빠르기 때문에 Microscope를 통해서 defect 종류를 쉽게 관찰 할 수 있다.

FORMULA
HF + HNO₃+ CrO₃+ Cu(NO₃) + H₂O + CH₃COOH

APPLICATION
Good crystallographic characteristics
Material ; (100) , (111) ,crystal orientation for p,n- type over a wide range of resistivities.
Cleavage ; (110)
모든 표면 Isotropic etch orientation에 넓게 적합
Surface 와 Bulk Defects관측에 적합.
(Defect: crystal dislocations, stacking faults, swirls, striations and slip lines,BMD , OiSF , COP.superior delineation of crystal defects.)
clearly defined oxidation-induced stacking faults, dislocations, swirls and striations with minimum surface roughness or extraneous pitting.
failure analysis of electrical devices at various wafer processing stages.

DESCRIPTION(Compatibility)

Model	WRIGHT / TKWRCH04
Appearance	Deep purple Liquid
Etchant Type	Immersion(Dip)
Operating Temperature	20 - 60 ℃
Ventilation	Hood Recommended
Agitation	Agitation speed로 Etch rate 가속
Etch Rate @ 40℃	0.8 micro/ min
Composition	Hydrofluoric Acid complex
pH range	1 이하
Shelf Life	1 year
Resist Compatibility	Negative & Positive
Rinse	Distilled, Deionized Water
Storage Temp.	직사광선 피하고 Room Temperature, Sealing, ventilated 공간에서 Open
Capacity	3.8 liters, Gallon
Packing Tank	Polyethylene/Polypropylene

COMMENT
wafer 수입검사 FPD(flow pattern defect) ,wafer surface평가용 chemical입니다.
Both float zone and Czochralski crystals 특성을 나타냄.

DISPOSAL OF SPENT ETCHANT
사용된 etchant(TKSECH04)는 승인된 시약 특성별 분리된 폐수 수집용기에 폐기. 사용된 etchant(TKSECH04)는 탄산칼슘(calcium carbonate)으로 중화시킨 후 물로 희석.
승인된 시약 특성별 분리된 폐수 수집용기에 폐기 . 하수구 무단 배출은 추천 않음. 배출은 유해화학물질 폐기에 관한 관련 법률에 따라 폐기.

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