Silicon표면을 산화시키면서 표면을 Etching하는 Etchant로서 Defect부위는 Normal부위에 비해 etch rate가 빠르기 때문에 Microscope를 통해서 defect 종류를 쉽게 관찰 할 수 있다.

HF + K₂Cr₂O7 + H₂O

▣ material ; (100) , (111)
▣ cleavage ; (110)
▣ (100)에 가장 적합.
▣ Highly boron doped wafer에는 적합하 지 않음
▣ 비방향성 Surface Defects관측에 적합 (Defect: FPD..)

 

품명
Model명
Etch Rate
용량
포   장
비고
SECCO
TKSECH04 
0.8 micro/ min
4 liter
1Gallon용
취급 주의
SECCO
TKSECH20
0.8 micro/ min
20 liter
20 liter 용
취급 주의



wafer 수입검사 FPD(flow pattern defect) 평가용 chemical입니다.



일부 사용 Application에 따라 조성도와 Etch rate가 다를 수 있으며 사용자의 Application에 맞는 Etchant도 제작 가능.

 

 
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